[发明专利]一种微纳复合绒面结构的多晶黑硅制备方法

摘要

本发明公开了一种微纳复合绒面结构的多晶黑硅制备方法，首先将多晶硅片置入腐蚀溶液中，制备获得具有微米绒面结构的多晶硅片；然后将其置入金属离子化合物溶液中在微米绒面上沉积金属纳米颗粒，接着将其置于刻蚀溶液中进行刻蚀获得具有微纳复合绒面结构的多晶硅片；清洗去除表面残留的金属颗粒后，最后将其置于碱性溶液进行微纳复合绒面结构修正刻蚀，烘干即得。本发明利用湿法化学刻蚀法在多晶黑硅表面制备出微纳复合绒面结构，此结构具有极低的反射率，同时本发明与常规多晶硅太阳电池制绒工艺有很好的兼容性；因此，本发明能快速的应用于当前常规多晶硅太阳电池产业，可以显著提高对光的吸收效率，从而提高了太阳能电池的效率。

主权项

一种微纳复合绒面结构的多晶黑硅制备方法，其特征是，包括以下步骤：（1）将多晶硅片置入腐蚀溶液进行刻蚀30~300s后将其取出并进行清洗，制备获得具有微米绒面结构的多晶硅片；所述腐蚀溶液为氢氟酸和硝酸所组成的混合溶液，其中，氢氟酸的浓度为1~5 mol/L，硝酸的浓度为3~15 mol/L；（2）将步骤（1）得到的多晶硅片置入氢氟酸和金属离子的混合溶液中，放置时间为15~120s后取出，得到在微米绒面上吸附有金属纳米颗粒的多晶硅片；所述氢氟酸浓度为1~10 mol/L；所述金属离子为具有催化活性作用的金属离子，其中金属离子的浓度为0.003~0.03 mol/L；（3）将步骤（2）得到的多晶硅片置入刻蚀溶液中，刻蚀时间为1~5min后取出，获得具有微纳复合绒面结构的多晶硅片；所述刻蚀溶液为氢氟酸和双氧水，其中氢氟酸的浓度为1~10 mol/L，双氧水的浓度为0.1~1.0 mol/L；（4）将步骤（3）得到的多晶硅片置入清洗溶液中，去除表面残留的金属颗粒；所述的清洗溶液为氧化性酸液；（5）将步骤（4）得到的多晶硅片置入碱性溶液中，碱性溶液浓度为0.005~0.05 mol/L，修正刻蚀时间为1~5min后取出并进行清洗，烘干获得纳米级类金字塔结构的微纳复合绒面结构多晶黑硅。