[发明专利]一种具有高结合力吸收层的柔性薄膜太阳电池在审
申请号: | 201410652856.7 | 申请日: | 2014-11-17 |
公开(公告)号: | CN105590973A | 公开(公告)日: | 2016-05-18 |
发明(设计)人: | 王赫;乔在祥;赵彦民;李微;张超;杨亦桐;王胜利;杨立 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032 |
代理公司: | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人: | 李凤 |
地址: | 300384 天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明涉及一种具有高结合力吸收层的柔性薄膜太阳电池。本发明属于铜铟镓硒薄膜太阳电池技术领域。一种具有高结合力吸收层的柔性薄膜太阳电池,其特点是:具有高结合力吸收层的柔性薄膜太阳电池包含多层结构,多层结构依次为柔性衬底、Mo电极层、应力缓冲层、CIGS吸收层、CdS缓冲层、透明导电窗口层、Ni-Al栅电极,CIGS吸收层与Mo电极层之间设有应力缓冲层,提高柔性衬底生长的CIGS吸收层的结合力。本发明具有能够获得高结合力CIGS吸收层,有效避免了柔性衬底上的CIGS薄膜因内应力而开裂、甚至脱落等问题,改善了吸收层电学性质等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 结合 吸收 柔性 薄膜 太阳电池 | ||
【主权项】:
一种具有高结合力吸收层的柔性薄膜太阳电池,其特征是:具有高结合力吸收层的柔性薄膜太阳电池包含多层结构,多层结构依次为柔性衬底、Mo电极层、应力缓冲层、CIGS吸收层、CdS缓冲层、透明导电窗口层、Ni‑Al栅电极,CIGS吸收层与Mo电极层之间设有应力缓冲层,提高柔性衬底生长的CIGS吸收层的结合力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
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