[发明专利]基于铝/纳晶硅/铜薄膜的热电材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201410653920.3 | 申请日： | 2014-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN104465980B | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 高斐;周松杰;郑逍遥;王皓石;李付贤;武慧君;武怡;刘生忠 | 申请（专利权）人： | 陕西师范大学 |
| 主分类号： | H01L35/34 | 分类号： | H01L35/34;H01L35/14 |
| 代理公司： | 西安永生专利代理有限责任公司61201 | 代理人： | 高雪霞 |
| 地址： | 710062 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于铝/纳晶硅/铜薄膜的热电材料及其制备方法，该热电材料是先在玻璃衬底上从下往上依次沉积60～140nm的铝薄膜、150～350nm的氢化非晶硅薄膜、35～90nm的铜薄膜，然后在氮气氛围中退火。本发明热电材料所需材料储量丰富，价格低廉，不含有毒元素，制备工艺简单，克服了以往热电材料所需材料储量少、含有有毒元素、制备工艺复杂等问题，且相对于典型的热电材料(如Bi2Te3、Ca3Co4O9等)低温时(100℃以下)短路电流、开路电压较大。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳晶硅 薄膜 热电 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于铝/纳晶硅/铜薄膜的热电材料，其特征在于它由下述方法制备得到：(1)利用热蒸发法在玻璃衬底上沉积一层厚度为60～140nm的铝薄膜；(2)利用等离子增强化学气相沉积法在铝薄膜上沉积一层厚度为150～350nm的氢化非晶硅薄膜；(3)利用热蒸发法在氢化非晶硅薄膜上沉积一层厚度为35～90nm的铜薄膜，得到铝/氢化非晶硅/铜薄膜材料；(4)将铝/氢化非晶硅/铜薄膜材料在氮气气氛中500～600℃退火40～60分钟，得到基于铝/纳晶硅/铜薄膜的热电材料。
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