[发明专利]一种半导体工艺设备的参数调整方法

摘要

本发明涉及一种半导体工艺设备的参数调整方法，半导体工艺设备的参数包括N个工艺条件参数和M个工艺结果参数，工艺条件参数包括至少一个工艺温度参数、至少一个工艺时间参数和/或至少一个工艺气体流量参数，工艺结果参数至少包括一个结果膜厚参数，N和M为正整数；该方法通过参照实际工艺所需要的工艺结果参数，选择有限次的小样本实验数据，找到N个工艺参数分别与M个工艺结果之间的关系；即将工艺条件参数和工艺结果参数归纳为多输入多输出MIMO问题，并转化为多输入单输出MISO问题解决，从而可以根据实际工艺所需要的工艺结果参数，通过分别求解来确定适合的工艺条件参数，以满足尽量短的时间精确调整符合工艺要求，提高工艺设备的产能。

主权项

一种半导体工艺设备的参数调整方法，用于控制所述设备在预定响应时间内精确达到所需要工艺条件的过程，所述半导体工艺设备的参数包括N个工艺条件参数和M个工艺结果参数，所述工艺条件参数包括至少一个工艺温度参数、至少一个工艺时间响应参数和/或至少一个工艺气体流量参数，所述工艺结果参数至少包括一个结果膜厚参数，N和M为正整数；其特征在于，所述方法包括：步骤S1：参照实际工艺所需要的工艺结果参数，预选择Z组所述工艺条件参数，执行半导体工艺设备工艺过程，得到相应的Z组所述工艺结果参数，并形成表示工艺条件参数和工艺结果参数对应关系的数据D样本对应表；从所述对应表中选出Z‑L组工艺条件参数和工艺结果参数的对应关系形成第一对应表；将剩下的L组所述工艺条件参数和工艺结果参数的对应关系形成第二对应表，其中，所述第二对应表中的工艺结果参数的选取，为最接近实际工艺所需要的工艺结果参数；Z、L为正整数，且Z大于L；步骤S2：选择一个工艺结果参数与工艺条件参数之间非线性对应关系模型的多输入单输出经验模型：y=f(x)=<w,x>+b‾]]>其中，y为工艺参数，x为工艺结果，为阀值；并将所述第一对应表中的Z‑L组所述工艺条件参数与工艺结果参数对应关系带到所述多输入单输出经验模型中进行有约束条件的优化训练，求得所述多输入单输出经验模型的非线性核函数K值和具体参数值，即将工艺条件参数和工艺结果参数间多输入多输出经验模型，经训练后转化为多输入单输出经验模型；步骤S3：将所述第二对应表中的所述工艺结果参数值带入到所述多输入单输出经验模型中进行验证，得到L组工艺条件参数值；步骤S4：将得到的L组工艺条件参数值同所述第二对应表中的L组工艺条件参数值分别进行比较；判断该L组工艺条件参数值的误差范围是否在预设的范围内；如果是，执行步骤S5，如果不是，需增加Z值，重新执行步骤S1；步骤S5：使用训练后所述多输入单输出经验模型，根据实际工艺所需要的工艺结果参数，分别确定适合的工艺条件参数。