[发明专利]三元半导体量子点∕石墨烯功能复合材料及其制备方法有效
申请号: | 201410654367.5 | 申请日: | 2014-11-17 |
公开(公告)号: | CN104477854A | 公开(公告)日: | 2015-04-01 |
发明(设计)人: | 雷芸;徐骏;陈菲菲;何跃 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
主分类号: | C01B19/00 | 分类号: | C01B19/00;C01B31/04 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 乔宇 |
地址: | 430070 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明涉及一种三元半导体量子点/石墨烯功能复合材料,所述三元半导体量子点分子式为CdSexTe1-x、CdSxSe1-x或ZnxCd1-xS,其中0.2≤x≤0.8,它为采用以下步骤所得产物:1)制备三元半导体量子点;2)表面功能化修饰的三元半导体量子点;3)制备三元半导体量子点/石墨烯功能复合材料:向氧化石墨烯的水分散液中加入交联剂,然后加入表面功能化修饰的三元半导体量子点,反应得到三元半导体量子点/氧化石墨烯复合材料,水合肼还原得到三元半导体量子点/石墨烯功能复合材料。该功能复合材料光谱响应范围广,有效地扩展了石墨烯基复合材料的光吸收范围。 | ||
搜索关键词: | 三元 半导体 量子 石墨 功能 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种三元半导体量子点/石墨烯功能复合材料的制备方法,其特征在于,所述三元半导体量子点分子式为CdSexTe1‑x、CdSxSe1‑x或ZnxCd1‑xS,其中0.2≤x≤0.8,步骤如下:1)制备三元半导体量子点:根据所述CdSexTe1‑x、CdSxSe1‑x或ZnxCd1‑xS化学计量比称取含Cd、Se、Te、Zn或S的原料,将原料溶于溶剂中混合均匀后得到前驱体,将前驱体倒入反应釜中采用溶剂热法于120‑140℃反应12h制备三元半导体量子点CdSexTe1‑x、CdSxSe1‑x或ZnxCd1‑xS;2)将步骤1)所制备的三元半导体量子点CdSexTe1‑x、CdSxSe1‑x或ZnxCd1‑xS加入二硬脂酰基磷脂酰乙醇胺‑聚乙二醇的氯仿溶液中进行修饰,处理得到表面功能化修饰的三元半导体量子点;3)向氧化石墨烯的水分散液中加入交联剂,然后加入表面功能化修饰的三元半导体量子点,于0‑4℃搅拌反应10‑12小时,得到三元半导体量子点/氧化石墨烯复合材料,再用水合肼还原得到三元半导体量子点/石墨烯功能复合材料。
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