[发明专利]一种制作氮化物外延层、衬底与器件晶圆的方法

摘要

本发明涉及一种制作氮化物外延层、衬底与器件晶圆的方法，包括至少使用一层具有类纤锌矿晶体结构的氧化物薄膜作为牺牲层，来连接氮化物外延层和初始衬底；同时，使用化学剥离的方法来实现氮化物外延层与初始衬底的分离。本发明所选用的氧化物易于在化学溶液中分解，实现湿法刻蚀，为制作氮化物外延层、氮化物衬底或氮化物器件晶圆过程中所需的衬底剥离、衬底转移和晶圆键合等工艺技术提供了有利条件，同时也保证了氮化物外延材料具有较高的晶体质量。

主权项

一种制作氮化物外延层、衬底与器件晶圆的方法，其特征在于，包括：至少使用一层具有类纤锌矿晶体结构的氧化物薄膜作为牺牲层，来连接氮化物外延层和初始衬底，具体的晶圆结构从下而上依次为：初始衬底、氧化物薄膜、氮化物外延层，所述初始衬底为SiC或GaN；同时，使用化学剥离的方法来实现氮化物外延层与初始衬底的分离，所述具有类纤锌矿晶体结构的氧化物薄膜为LiGaO2、LiAlO2、NaAlO2、NaGaO2、AgGaO2、Li2SiO3、Li2GeO3、Na2SiO3、Na2GeO3、Li3PO4、Li3AsO4、Li3VO4、ScAlMgO4、Zn2LiGaO4、Li2MgGeO4、Li2ZnSiO4、Li2ZnGeO4、Li2CdSiO4、Li2CdGeO4、Na2MgGeO4、Na2ZnSiO4、Na2ZnGeO4中的至少一种,或所述具有类纤锌矿晶体结构的氧化物薄膜为GdO、Ga2O3、LiGaO2、LiAlO2、NaAlO2、NaGaO2、AgGaO2、Li2SiO3、Li2GeO3、Na2SiO3、Na2GeO3、Li3PO4、Li3AsO4、Li3VO4、ScAlMgO4、Zn2LiGaO4、Li2MgGeO4、Li2ZnSiO4、Li2ZnGeO4、Li2CdSiO4、Li2CdGeO4、Na2MgGeO4、Na2ZnSiO4、Na2ZnGeO4中的两种或两种以上的固溶体，所述氧化物薄膜的制备方法包括：脉冲激光沉积、射频磁控溅射、有机金属化学气相沉积、分子束外延、氢化物气相外延、电子束蒸发中的一种或多种。