[发明专利]图像传感器有效
| 申请号： | 201410655607.3 | 申请日： | 2014-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN105280651B | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 金相植 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N9/04 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种图像传感器包括被布置成二维的多个像素，其中，至少一个像素包括：形成在衬底中的光电转换层；形成在光电转换层之上的第一滤色器层；以及形成在第一滤色器层之上且限定关于光电转换层的光轴偏离中心形成的开口的第二滤色器层。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，包括：多个像素，其被布置成二维，其中，至少一个像素包括：光电转换层，其形成在衬底中；第一滤色器层，其形成在所述光电转换层之上；以及第二滤色器层，其形成在所述第一滤色器层之上，并且限定关于所述光电转换层的光轴而偏离中心所形成的开口，其中，所述第一滤色器层和所述第二滤色器层彼此重叠的区域直接位于所述光电转换层之上以覆盖所述光电转换层的一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
