[发明专利]生成电子场的方法无效
申请号: | 201410655724.X | 申请日: | 2010-08-10 |
公开(公告)号: | CN104409306A | 公开(公告)日: | 2015-03-11 |
发明(设计)人: | R·M·福布斯琼斯 | 申请(专利权)人: | ATI资产公司 |
主分类号: | H01J37/305 | 分类号: | H01J37/305;H01J37/077 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 林斯凯 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及一种生成电子场的方法,用于使熔化炉内的导电材料熔化。该方法包括:设置具有第一非线性形状的阳极;向所述阳极施加电压;在所述阳极处生成包含正阳离子的等离子;设置具有第二形状的阴极;相对于所述阳极定位所述阴极;向所述阴极施加电压,其中所述电压构造成对所述阴极充负电;朝所述阴极加速所述正阳离子以生成自由的二次电子;以及使用所述自由的二次电子形成电子场,所述电子场的截面轮廓具有第三形状,其中所述第三形状对应于所述阳极的所述第一非线性形状。 | ||
搜索关键词: | 生成 电子 方法 | ||
【主权项】:
一种生成电子场的方法,用于使熔化炉内的导电材料熔化,所述方法包括:设置具有第一非线性形状的阳极;向所述阳极施加电压;在所述阳极处生成包含正阳离子的等离子;设置具有第二形状的阴极;相对于所述阳极定位所述阴极;向所述阴极施加电压,其中所述电压构造成对所述阴极充负电;朝所述阴极加速所述正阳离子以生成自由的二次电子;以及使用所述自由的二次电子形成电子场,所述电子场的截面轮廓具有第三形状,其中所述第三形状对应于所述阳极的所述第一非线性形状。
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