[发明专利]一种基于多孔硅的阵列生物芯片及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201410655797.9 | 申请日： | 2014-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN104406936A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 吕小毅;莫家庆;贾振红;王佳佳 | 申请（专利权）人： | 新疆大学 |
| 主分类号： | G01N21/45 | 分类号： | G01N21/45 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人： | 夏晏平 |
| 地址： | 830046 新疆维吾*** | 国省代码： | 新疆;65 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种基于多孔硅的阵列生物芯片的制备方法及其用途，步骤1：单晶硅片单面抛光，采用电化学方法制备出多孔硅Bragg多层结构,硅片未抛光面称为待光刻层；步骤2：在前述待光刻层上，进行高能激光刻蚀、聚焦电子或离子束刻蚀，得到表面为阵列光子晶体的器件；步骤3：对得到的硅片进行后处理：硅烷化；步骤4：步骤3得到的硅片进行戊二醛化学修饰；即得一面为层状Bragg反射器，另一面为光子晶体的基于多孔硅的阵列生物芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 多孔 阵列 生物芯片 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种基于多孔硅的阵列生物芯片的制备方法，其特征在于：步骤1：单晶硅片单面抛光，采用电化学方法制备出多孔硅Bragg多层结构，硅片未抛光的一面称为待光刻层；步骤2：在前述待光刻层上，进行高能激光刻蚀、聚焦电子或离子束刻蚀，得到表面为阵列光子晶体的硅片；步骤3：对得到的硅片进行后处理：硅烷化；步骤4：步骤3得到的硅烷化的硅片进行戊二醛化学修饰；即得一面为层状Bragg反射器，另一面为光子晶体的基于多孔硅的阵列生物芯片；通过步骤2的刻蚀技术得到的表面光子晶体层的厚度与通过步骤1得到的层状Bragg反射器的厚度比值为1:2‑3:4。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新疆大学，未经新疆大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410655797.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种多用户配餐方法
- 下一篇：电网工程量清单评审应用软件平台的建立
