[发明专利]以TpySi为补角体制备的笼型低聚倍半硅氧烷及其稀土发光材料有效
| 申请号： | 201410657671.5 | 申请日： | 2013-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN104530115B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 李焕荣;陈晓凡;张盼宁 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | C07F7/21 | 分类号： | C07F7/21;C09K11/06 |
| 代理公司： | 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙)12210 | 代理人： | 赵凤英 |
| 地址： | 300401 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明为一种以TpySi为补角体制备的笼型低聚倍半硅氧烷及其稀土发光材料。本发明以1,3,5,7,9,11,14‑七异丁基三环[7.3.3.15,11]七硅氧烷‑内‑3,7,14‑三醇为基体，α—噻吩甲酰基三氟丙酮硅烷化衍生物、二联吡啶硅烷化衍生物以及三联吡啶硅烷化衍生物为补角体，以补角的形式与基体反应，形成完整的新型笼型低聚倍半硅氧烷。再将其新型笼型低聚倍半硅氧烷与稀土元素结合，形成笼型低聚倍半硅氧烷(POSS)/稀土离子发光材料。本发明所得稀土化合物/低聚倍半硅氧烷材料发光色彩丰富，色纯度高，荧光寿命长(0.5‑1.5ms)，量子效率高(20)，热稳定性(350℃)和光稳定性强，是一种很有价值的光学材料，可以应用在显示显像、新光源、X射线增光屏等领域。 | ||
| 搜索关键词： | tpysi 补角 体制 笼型低聚倍半硅氧烷 及其 稀土 发光 材料 | ||
【主权项】：
一种以TpySi为补角体制备的笼型低聚倍半硅氧烷，其特征为其结构式为：其中，上面结构式中，。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河北工业大学，未经河北工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410657671.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
