[发明专利]一种石墨壳的制备工艺在审
申请号: | 201410657714.X | 申请日: | 2014-11-18 |
公开(公告)号: | CN105671487A | 公开(公告)日: | 2016-06-15 |
发明(设计)人: | 李鹏 | 申请(专利权)人: | 平度市华东石墨加工厂 |
主分类号: | C23C14/18 | 分类号: | C23C14/18;C23C14/35;C23C16/513 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 266745 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明提供一种石墨壳的制备工艺,其特征是:靶磁控溅射制备的铜薄膜放入射频等离子体增强化学气相沉积设备(RF-PECVD)的反应室中,采用DPS-Ⅲ型超高真空对靶磁控溅射镀膜设置来制备厚度为80nm的铜薄膜,使用的基片为单晶Si200,靶材是直径为8cm的高纯铝靶。本发明优点:石墨和铜特性优势互补,制备了石墨壳结构(GS/CC)材料,降低成本的同时显著提升核壳结构材料的场发射性能,在信息技术、和传感器等领域具有潜在的应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 石墨 制备 工艺 | ||
【主权项】:
一种石墨壳的制备工艺,其特征是:靶磁控溅射制备的铜薄膜放入射频等离子体增强化学气相沉积设备(RF‑PECVD)的反应室中,采用DPS‑Ⅲ型超高真空对靶磁控溅射镀膜设置来制备厚度为80nm的铜薄膜,使用的基片为单晶Si200,靶材是直径为8cm的高纯铝靶。
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