[发明专利]介质调制复合交叠栅功率器件有效
| 申请号： | 201410658234.5 | 申请日： | 2014-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN104393048A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 毛维;葛安奎;郝跃;边照科;石朋毫;张进成;马晓华;张金风;杨林安;曹艳荣 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种介质调制复合交叠栅功率器件，主要解决现有场板技术在实现高击穿电压时工艺复杂的问题。其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、台面(6)、绝缘介质层(7)、钝化层(8)和保护层(13)，势垒层(3)上淀积有源极(4)与漏极(5)，钝化层(8)内刻有栅槽(9)与凹槽(10)，其中栅槽靠近源极，凹槽靠近漏极，且栅槽的深度等于钝化层的厚度，凹槽(10)中完全填充有高介电常数介质(11)，在栅槽内、栅槽与漏极之间的钝化层上部及高介电常数介质上部淀积有交叠栅(12)，高介电常数介质与交叠栅构成复合交叠栅。本发明具有工艺简单、击穿电压高、场板效率高、可靠性高和成品率高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 介质 调制 复合 交叠 功率 器件 | ||
【主权项】：
一种介质调制复合交叠栅功率器件，自下而上包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、绝缘介质层(7)、钝化层(8)和保护层(13)，势垒层(3)的上面淀积有源极(4)与漏极(5)，势垒层(3)的侧面刻有台面(6)，且台面的深度大于势垒层的厚度，其特征在于，在源极(4)与漏极(5)之间的钝化层内刻有栅槽(9)与凹槽(10)，其中栅槽(9)靠近源极，凹槽(10)靠近漏极，且栅槽的深度等于钝化层的厚度，栅槽(9)内、栅槽与漏极之间的钝化层(8)上部及高介电常数介质(11)上部淀积有交叠栅(12)，在凹槽(10)内完全填充有高介电常数介质(11)，该交叠栅(12)与高介电常数介质(11)构成复合交叠栅。
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