[发明专利]一种碳纳米管异质结构制备方法在审
| 申请号： | 201410658366.8 | 申请日： | 2014-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN104409326A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 吴礼才 | 申请（专利权）人： | 大足县众科管道设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 402368 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳纳米管异质结构制备方法，包括如下步骤：将Si样片为阳极，铂为阴极，在去离子水、无水乙醇和氢氟酸混合的电解液中电解，使得Si表面形成锥形孔；通过高温液相法合成Fe3O4纳米粒子催化剂；将乙酰丙酮铁溶入油酸油脂和二醇中，在苯醚环境中高温热解；将制备的Fe3O4纳米粒子溶液滴在多孔硅表面上，放在空气中自然干燥；将制备好的多孔硅样品置于真空室中，抽本底真空并通入H2，开启微波源进行预处理，基底靠加热系统和等离子体轰击共同升温至预定温度；预处理后，通入CH4和B2H6气体，进行掺硼碳纳米管的制备；停止通入B2H6，将CH4流量增大，进行纯碳纳米管的制备。本发明方法简单、成本低廉，获得的异质结构性能稳定、光学、电学性能更强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 管异质 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碳纳米管异质结构制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将Si样片为阳极，铂为阴极，在去离子水、无水乙醇和氢氟酸混合的电解液中电解，使得Si表面形成锥形孔；通过高温液相法合成Fe3O4纳米粒子催化剂；将乙酰丙酮铁溶入油酸油脂和二醇中，在苯醚环境中高温热解；将制备的Fe3O4纳米粒子溶液滴在多孔硅表面上，放在空气中自然干燥；将制备好的多孔硅样品置于真空室中，抽本底真空并通入H2，开启微波源进行预处理，基底靠加热系统和等离子体轰击共同升温至预定温度；预处理后，通入CH4和B2H6气体，进行掺硼碳纳米管的制备；停止通入B2H6，将CH4流量增大，进行纯碳纳米管的制备；反应结束后，在多孔Si表面形成了一层黑色的薄膜，即得到碳纳米管异质结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
