[发明专利]用于电镀的碱预处理在审
| 申请号： | 201410658497.6 | 申请日： | 2014-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN104651893A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 马修·托鲁 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | C25D7/12 | 分类号： | C25D7/12;C25D19/00 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用于电镀的碱预处理。在电沉积之前，具有一个或多个凹陷特征(例如硅通孔(TSV))的半导体晶片通过使晶片与预先润湿液接触进行预处理，该预润湿液体包括缓冲剂(如硼酸盐缓冲剂)并具有介于约7和约13之间的pH值。该预处理对具有对酸敏感的含镍籽晶层(如NiB和NiP)的晶片是特别有用的。预润湿液体优选在与晶片衬底接触之前脱气。优选在低于大气压的压强下进行预处理，以防止在凹陷特征内的气泡形成。在对晶片进行预处理后，例如铜之类的金属从酸性电镀溶液被电沉积以填充晶片上的凹陷特征。所描述的预处理最小化在电镀期间籽晶层的腐蚀，并减少电镀缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电镀 预处理 | ||
【主权项】：
一种在包括一个或多个凹陷特征的晶片衬底上电镀金属的方法，所述方法包括：(a)提供在表面的至少一部分上具有露出的含镍层的晶片衬底；(b)使所述晶片衬底与预润湿液体接触，所述液体包含缓冲剂并具有范围在约7和约13之间的pH值，以预润湿所述晶片衬底上的含镍层；以及(c)使用酸性电镀溶液将所述金属电沉积到所述含镍层上，其中电沉积的所述金属至少部分地填充所述一个或多个凹陷特征。
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