[发明专利]四方相钛镁酸铋‑钛酸铅基压电陶瓷的制备方法有效
| 申请号： | 201410658653.9 | 申请日： | 2014-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN105645955B | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 刘锦峰;许桂生;杨丹凤;陈夏夏;朱秀;田彦锋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/475 | 分类号： | C04B35/475;C04B35/472;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙)31261 | 代理人： | 曹芳玲,郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种四方相钛镁酸铋‑钛酸铅基压电陶瓷的制备方法，所述四方相钛镁酸铋‑钛酸铅基压电陶瓷的组成化学式为(1‑x)Bi(Mg1/2Ti1/2)O3 ‑xPbTiO3，所述方法包括1）称取金属氧化物粉末；2）先将步骤1）称量金属氧化物粉末均匀混合后进行成型处理得到压电陶瓷素坯，然后将压电陶瓷素坯在1000‑1200℃烧结得到块体陶瓷；3）将步骤2）制备的块体陶瓷被覆上银电极或铂电极，在硅油中进行极化处理。 | ||
| 搜索关键词： | 四方 相钛镁酸铋 钛酸铅基 压电 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种四方相钛镁酸铋‑钛酸铅基压电陶瓷的制备方法，其特征在于，所述四方相钛镁酸铋‑钛酸铅基压电陶瓷的组成化学式为(1‑x)Bi(Mg1/2Ti1/2)O3 ‑xPbTiO3，其中0.50≦x≦0.90，所述方法包括：1）按所述四方相钛镁酸铋‑钛酸铅基压电陶瓷组成化学式中金属元素之间的摩尔比，称取金属氧化物粉末，其中，Bi 的氧化物为Bi2O3，Mg的氧化物为MgO，Ti的氧化物为TiO2，Pb 的氧化物为PbO和/或Pb3O4；2）先将步骤1）称量金属氧化物粉末均匀混合后进行成型处理得到压电陶瓷素坯，然后将压电陶瓷素坯在1000‑1200℃烧结得到块体陶瓷；3）将步骤2）制备的块体陶瓷被覆上银电极或铂电极，在硅油中进行极化处理。
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