[发明专利]鳍式场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201410658857.2 | 申请日： | 2014-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN105679824B | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 林静 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种鳍式场效应晶体管及其制造方法，包括：提供衬底；在衬底上形成鳍；在衬底上依次形成隔离层和阻挡层；形成位于鳍侧壁上的侧墙；在隔离层中形成多个露出鳍的凹槽；在凹槽中填充半导体材料，并对半导体材料进行掺杂以形成源区或漏区；在源区或漏区之间的鳍上形成栅极。所述晶体管包括：衬底；位于所述衬底上的鳍；覆盖于所述鳍侧壁和顶部的隔离层；位于所述鳍侧壁上的侧墙；横跨至少一个所述鳍的栅极；形成于栅极两侧的鳍顶部隔离层中的漏区。本发明通过增加阻挡层形成隔离层侧壁，鳍、隔离层顶部与隔离侧墙构成的凹槽底面比较平坦，有利于源区或漏区材料生长的速度与质量，进而有利于提升形成的鳍式场效应晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成鳍；在所述鳍以及鳍之间的衬底上依次形成隔离层和阻挡层；对所述阻挡层进行第一刻蚀，形成位于鳍侧壁上的侧墙；对位于鳍顶部的隔离层进行第二刻蚀，在隔离层中形成多个露出鳍的凹槽；在所述凹槽中填充半导体材料，并对所述半导体材料进行掺杂以形成源区或漏区；在源区或漏区之间的鳍上形成栅极，所述栅极横跨至少一个所述鳍且所述栅极覆盖所述鳍的侧壁与顶部。
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