[发明专利]基于T形栅-漏复合场板的异质结器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201410658903.9 | 申请日： | 2014-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN104409493A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 毛维;佘伟波;葛安奎;杨翠;马京立;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40;H01L21/335;H01L21/28 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于T形栅-漏复合场板的异质结器件及其制作方法，主要解决现有场板技术在实现高击穿电压时工艺复杂的问题。其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、肖特基漏极(5)、台面(6)、栅极(7)、钝化层(8)和保护层(13)。钝化层(8)内刻有栅槽(9)和漏槽(10)，钝化层(8)与保护层(13)之间淀积有T形栅场板(11)和T形漏场板(12)；T形栅场板(11)与栅极(7)电气连接，且下端完全填充在栅槽(9)内；T形漏场板(12)与肖特基漏极(5)电气连接，且下端完全填充在漏槽(10)内。本发明具有制作工艺简单、正向特性与反向特性好及成品率高的优点，可作为开关器件。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 形栅 复合 异质结 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种基于T形栅‑漏复合场板的异质结器件，自下而上包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、钝化层(8)和保护层(13)，势垒层的上面淀积有源极(4)、肖特基漏极(5)及栅极(7)，势垒层的侧面刻有台面(6)，且台面深度大于势垒层厚度，其特征在于：钝化层(8)内刻有栅槽(9)和漏槽(10)；钝化层(8)与保护层(13)之间淀积有T形栅场板(11)和T形漏场板(12)；所述T形栅场板(11)与栅极(7)电气连接，且下端完全填充在栅槽(9)内；所述T形漏场板(12)与肖特基漏极(5)电气连接，且下端完全填充在漏槽(10)内。
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