[发明专利]一种用于高速模拟及射频电路的电流源

摘要

本发明一种用于高速模拟及射频电路的电流源，包括第一路电流产生电路、第二路电流产生电路和电流合成电路组成。第一路电流产生电路输出电流I0为随温度增加而增大的电流；第二路电流产生电路输出电流I4为温度系数可调的电流源，当低于某个温度阈值T0时，电流I4的温度系数由电阻R4控制；而当高于T0时，电流I4降低到0，温度阈值T0由电阻R3控制。电流合成电路的输出的最终电流I_out由电流I1和电流I2相加得到，电流I1为第一路电流I0的k1倍，I2为第二路电流I4的k2倍。通过调节电阻R3和R4的值，及系数k1和k2可以得到温度系数可控可变的输出电流，能够很好地满足高速模拟及射频电路电流偏置的不同要求。

主权项

一种用于高速模拟及射频电路的电流源，其特征在于：包括第一路电流产生电路(100)、第二路电流产生电路(200)和电流合成电路(300)；所述第一路电流产生电路(100)包括PMOS管P1、PMOS管P4、NPN管Q1和电阻R1；所述第二路电流产生电路(200)包括PMOS管P7～PMOS管P12、NPN管Q3、NPN管Q4、电阻R3和电阻R4；所述电流合成电路(300)包括PMOS管P2、PMOS管P3、PMOS管P5、PMOS管P6、NPN管Q2及电阻R2；PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3、PMOS管P6、PMOS管P7、PMOS管P9和PMOS管P11的源极均接至电源VDD；PMOS管P1的漏极接至PMOS管P4的源极，PMOS管P1的栅极同时接至PMOS管P4的漏极和PMOS管P2、PMOS管P7、PMOS管P11的栅极，PMOS管P2和PMOS管P3的漏极均接至PMOS管P5的源极，PMOS管P5的漏极作为电流源的输出端向外输出I_out；PMOS管P4、PMOS管P5、PMOS管P6、PMOS管P8、PMOS管P10、PMOS管P12的栅极均连接在一起后，一同接至PMOS管P6的漏极；PMOS管P7的漏极接至PMOS管P8的源极，PMOS管P9的漏极接至PMOS管P10的源极，PMOS管P9的栅极同时接至PMOS管P3的栅极和PMOS管P10的漏极，PMOS管P11的漏极接至PMOS管P12的源极；NPN管Q1的集电极接至PMOS管P4的漏极，NPN管Q1的发射极接至电阻R1的一端，NPN管Q1的基极与NPN管Q2的基极连接至外部基准电压V_BG，NPN管Q2的集电极接PMOS管P6的漏极，NPN管Q2的发射极接电阻R2的一端，电阻R1和电阻R2的另一端均接地GND；NPN管Q3的集电极接至PMOS管P10的漏极，NPN管Q3的基极同时接至NPN管Q4的集电极和PMOS管P12的漏极，NPN管Q3的发射极同时接至NPN管Q4的基极和电阻R4的一端，电阻R4的另一端同时接电阻R3的一端和PMOS管P8的漏极，电阻R3的另一端和NPN管Q4的发射极均接地。