[发明专利]旋流器及其制备方法有效
申请号: | 201410659432.3 | 申请日: | 2014-11-18 |
公开(公告)号: | CN104525862B | 公开(公告)日: | 2016-11-30 |
发明(设计)人: | 许云华;叶芳霞;燕映霖;钟黎声;梁淑华;赵娜娜;任冰;邹军涛;肖鹏 | 申请(专利权)人: | 西安理工大学 |
主分类号: | B22C9/04 | 分类号: | B22C9/04;B22D18/06;B22D19/00;C23C8/64;C21D9/00;B23P15/00 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 李娜 |
地址: | 710048*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明提供一种旋流器,其工作部位的表面具有一种碳化物涂层,并且提供一种用于获得上述旋流器的制备方法。所述旋流器,在其齿前端工作部位具有碳化物涂层。所述碳化物涂层,包括准单晶V2C致密陶瓷层,还可进一步包括微米V8C7致密陶瓷层及V8C7与基体的融合层。所述准单晶V2C致密陶瓷层、微米V8C7致密陶瓷层及V8C7与基体的融合层依次呈梯度分布。可被施加于不锈钢表面。所述涂层与基体之间为冶金结合,结合力很强,克服了现有硬质颗粒与金属基体间非冶金结合,结合力很弱,颗粒容易脱落的问题,大幅度提高了旋流器内壁复合层工作表面的耐磨性能。 | ||
搜索关键词: | 旋流器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种旋流器,在其内壁具有耐磨涂层,其特征在于:所述耐磨涂层为V2C致密陶瓷层,其中,所述V2C致密陶瓷层为准单晶相,所述准单晶相是指,介于多晶相与单晶相之间,相较于多晶相,晶向一致性高、晶界减少,并且原子排列比较有序的显微组织;沿V2C致密陶瓷层纵向剖面,其厚度为7‑25μm;其中V2C的体积分数大于80%;V2C晶粒尺寸为20‑50μm。
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