[发明专利]具有垂直磁隧道结构的磁存储器装置有效
| 申请号： | 201410659744.4 | 申请日： | 2014-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN104658593B | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 金相溶;金晥均;吴世忠 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁存储单元和磁存储器装置。磁存储单元包括磁隧道结和第一电极，所述第一电极通过第一导电结构电耦合至所述磁隧道结。所述第一导电结构包括阻挡层和在阻挡层与磁隧道结之间延伸的晶种层。所述阻挡层形成为非晶金属化合物。在一些实施例中，阻挡层是经热处理的层，并且在热处理期间和之后保持阻挡层的非晶状态。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 隧道 结构 磁存储器 装置 | ||
【主权项】：
1.一种磁存储单元，包括：磁隧道结；以及第一电极，其通过第一导电结构电耦合至所述磁隧道结，所述第一导电结构包括阻挡层和在所述阻挡层与所述磁隧道结之间延伸的晶种层，所述阻挡层包括非晶金属化合物，所述非晶金属化合物包括铁磁元素。
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