[发明专利]一种Bi19S27Br3纳米线制备方法有效

专利信息
申请号: 201410660157.7 申请日: 2014-11-17
公开(公告)号: CN105668623B 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: 李灿;张文华;吴义辉 申请(专利权)人: 中国科学院大连化学物理研究所
主分类号: C01G29/00 分类号: C01G29/00;B82Y30/00
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司21002 代理人: 马驰
地址: 116023 *** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明涉及一种Bi19S27Br3纳米线制备方法。采用一种简单的胶晶溶液法,以BiBr3和双(三甲基硫化硅)作为原料,油胺和油酸作为表面活性剂,十八烯作为溶剂,利用金属离子(如Al3+、Fe3+、Fe2+,Co3+、Co2+、Ni2+等)控制纳米线的形貌和物相。反应采用标准的无水无氧操作装置(史兰克线)进行,反应温度140~240℃,反应时间5~120min。本发明的半导体纳米线制备方法简单易行,反应条件温和,操作成本低,且制备的纳米线形貌规整、尺寸均一。
搜索关键词: 一种 bi19s27br3 纳米 制备 方法
【主权项】:
一种Bi19S27Br3纳米线制备方法,其特征在于:纳米线是以BiBr3和双(三甲基硫化硅)为原材料,油胺和油酸作为表面活性剂,十八烯作为溶剂,利用金属离子控制纳米线的形貌和物相;具体制备条件为:0.1‑2.0mmol金属离子的乙酰丙酮化物或氯化物中的一种或二种以上,0.2‑0.6mmol的BiBr3,300‑500μL油胺,300‑500μL油酸和4‑6mL的十八烯加入到50mL两口烧瓶,于80‑120℃下脱气15‑60min,充入Ar气,升温至140‑240℃,用注射器注入1mL含有0.3‑0.9mmol双(三甲基硫化硅)的十八烯,反应5‑120min;所述纳米线以金属离子控制形貌和物相,金属离子为Al3+、Fe3+、Fe2+,Co3+、Co2+、Ni2+中的一种或二种以上。
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