[发明专利]绝缘栅型直角复合源场板功率晶体管有效
| 申请号： | 201410660513.5 | 申请日： | 2014-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN104393030A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 毛维;范举胜;杨翠;张昊;赵雁鹏;马晓华;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种绝缘栅型直角复合源场板功率晶体管，主要解决现有场板技术在实现高击穿电压时工艺复杂的问题。其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、台面(6)、绝缘介质层(7)、绝缘栅极(8)、钝化层(9)和保护层(13)，钝化层(9)内刻有凹槽(10)，凹槽(10)内完全填充有高介电常数介质(11)，钝化层(9)与保护层(13)之间淀积有一字形源场板(12)，一字形源场板靠近绝缘栅极一侧边缘与凹槽靠近绝缘栅极一侧边缘对齐，并将一字形源场板与源极电气连接；一字形源场板与高介电常数介质构成直角复合源场板。本发明具有工艺简单、击穿电压高、可靠性高和成品率高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 直角 复合 源场板 功率 晶体管 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅型直角复合源场板功率晶体管，自下而上包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、绝缘介质层(7)、钝化层(9)和保护层(13)，势垒层(3)的上面淀积有源极(4)与漏极(5)，势垒层(3)的侧面刻有台面(6)，且台面深度大于势垒层的厚度，绝缘介质层(7)上面淀积有绝缘栅极(8)，其特征在于，钝化层(9)内刻有凹槽(10)，凹槽(10)内完全填充有高介电常数介质(11)，钝化层(9)与保护层(13)之间淀积有一字形源场板(12)，一字形源场板靠近绝缘栅极一侧边缘与凹槽靠近绝缘栅极一侧边缘对齐，该一字形源场板与高介电常数介质(11)构成直角复合源场板，一字形源场板(12)与源极(4)电气连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410660513.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
