[发明专利]体硅微加工工艺的定位方法

摘要

一种体硅微加工工艺的定位方法，采用双面光刻和步进式光刻相结合的方法，通过双面光刻机找到步进式光刻机在第一基片的步进式光刻对位标记，然后直接使用步进式光刻机对第二基片进行对位。步进式光刻机的对位精度就相当于下上基片表面的图形的对位精度，因而大大提高了体硅微加工工艺的对位精度。

主权项

一种体硅微加工工艺的定位方法，其特征在于，包括步骤：在第一基片的正面制作第一图形、定位所述第一图形的步进式光刻机对位标记、定位所述步进式光刻机对位标记的双面光刻机第一对位标记；在第一基片的背面制作与双面光刻机第一对位标记对应的双面光刻机第二对位标记；在第一基片正面键合第二基片；对第二基片进行正面减薄；在第二基片的正面制作与双面光刻机第二对位标记对应的双面光刻机第三对位标记；通过双面光刻机第三对位标记在第二基片正面找到所述步进式光刻机对位标记的对应位置；还包括：在第二基片的正面所述步进式光刻机对位标记的对应位置制作凹部，以暴露第一基片正面的所述步进式光刻机对位标记；通过所述步进式光刻机对位标记在第二基片正面找到第一图形的对应位置，并在第一图形的对应位置制作第二图形。