[发明专利]一种带雪崩击穿特性的GaN基肖特基二极管的封装结构在审
| 申请号： | 201410661987.1 | 申请日： | 2014-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN104362145A | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 何志;谢刚 | 申请（专利权）人： | 佛山芯光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L29/872 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528226 广东省佛山市南海区狮山镇*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带雪崩特性的GaN基肖特基二极管器件的封装结构。器件包括两个反向额定电压相同的GaN基肖特基二极管与Si基二极管，通过将Si基二极管直接焊接到GaN基肖特基二极管的阴极上，并通过引线连接两种管子的阳极，形成并联结构。使得器件在反向工作时，当反向耐压超过器件的反向额定电压时，通过Si基二极管的雪崩击穿效应，固定反向电压，并且通过Si基二极管的雪崩效应产生雪崩电流，反馈给保护电路。从而保护器件本身以及整个电路系统，增强器件和电路的安全性与稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 雪崩 击穿 特性 gan 基肖特基 二极管 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种带雪崩击穿特性的GaN基肖特基二极管的封装结构，包括反向耐压大于或者等于设计所需反向额定电压的GaN基肖特基二极管，反向额定电压等于设计要求反向额定电压的垂直结构的Si基二极管，所述GaN基肖特基二极管衬底焊接到封装材料的绝缘基板上，所述Si基二极管的阴极直接焊接到GaN基二极管的阴极上，所述Si基二极管的阳极通过金属引线与GaN基肖特基二极管的阳极相连，通过引线引出整个模块的阳极与阴极。
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