[发明专利]远紫外线光刻工艺和掩模有效
| 申请号： | 201410662211.1 | 申请日： | 2014-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN104656376B | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 石志聪;游信胜;陈政宏;严涛南 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/24 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了远紫外线光刻(EUVL)的系统。该系统包括具有反射式相移光栅块(PhSGB)的掩模。该系统还包括照射装置以曝光掩模从而产生来自掩模的得到的反射光。得到的反射光主要包含衍射光。该系统还具有投影光学系统以收集并导向得到的反射光从而曝光目标。本发明还公开了远紫外线光刻工艺和掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外线 光刻 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种远紫外线(EUV)光刻系统，包括：掩模，具有多个反射式相移光栅块(PhSGB)；照射装置，用于使所述掩模曝光以产生从所述掩模所反射的生成的反射光，所述生成的反射光包括从所述多个反射式相移光栅块所反射的反射光，其中，所述生成的反射光不包括0阶衍射光；以及光学器件，用于收集并朝向目标引导所述生成的反射光，其中，所述多个反射式相移光栅块具有三阶梯式形状或v形形状。
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