[发明专利]一种晶硅电池笑气直接生长氧化硅膜的制备工艺有效
| 申请号： | 201410662237.6 | 申请日： | 2014-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN104538486A | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 董方;陆峰;孙涌涛;任永伟 | 申请（专利权）人： | 横店集团东磁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 322118 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无需增加设备且可批量化生产的晶硅电池笑气直接生长氧化硅膜的制备工艺。它的具体操作步骤如下：(1)抽真空/N2清洗；(2)生长氧化硅膜；(3)沉积中间层氮化硅膜；(4)沉积上层氮化硅膜；(5)抽真空/N2清洗：执行一次抽真空/N2清洗循环，并退舟。本发明的有益效果是：采用在PECVD工序通笑气直接生长致密的氧化硅膜工艺，在只改进PECVD工艺的基础上，可阻止金属离子侵入电池，在电池端根本上解决组件PID现象，该方法无需增加设备，可批量化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电池 笑气 直接 生长 氧化 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种晶硅电池笑气直接生长氧化硅膜的制备工艺，其特征是，在PECVD工序通笑气直接生长氧化硅膜，以阻止金属离子侵入电池，具体操作步骤如下：(1)抽真空/N2清洗；(2)生长氧化硅膜；(3)沉积中间层氮化硅膜；(4)沉积上层氮化硅膜；(5)抽真空/N2清洗：执行一次抽真空/N2清洗循环，并退舟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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