[发明专利]一种离子注入调控氮化钽薄膜电阻阻值的方法有效
| 申请号： | 201410662340.0 | 申请日： | 2014-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN104361967B | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 庄彤;丁明建;李杰成;李锦添;杨俊峰 | 申请（专利权）人： | 广州天极电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01C17/075 | 分类号： | H01C17/075 |
| 代理公司： | 广州圣理华知识产权代理有限公司44302 | 代理人： | 李唐明 |
| 地址： | 510000 广东省广州市海珠区大干*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种离子注入调控氮化钽薄膜电阻阻值的方法，将需要注入氮离子的氮化钽薄膜电阻放置于离子注入设备的工件放置区，将离子注入设备抽真空达到1.0×10‑4‑1.0×10‑5Pa之间，向离子注入设备中充入纯度大于等于99.99%的高纯氮气，使离子注入腔体的真空度维持在0.1‑10Pa之间，启动注入电源，氮气电离，氮离子进入氮化钽薄膜，即完成注入，关闭离子注入电源，腔体继续充入氮气直到1.01×105Pa，打开腔体，取出薄膜电阻器；该离子注入调控氮化钽薄膜电阻阻值的方法通过离子注入调控N原子的含量，从而达到控制氮化钽薄膜电阻器电阻值的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 调控 氮化 薄膜 电阻 阻值 方法 | ||
【主权项】：
一种离子注入调控氮化钽薄膜电阻阻值的方法，其特征在于：包括以下步骤：第一步：将需要注入氮离子的氮化钽薄膜电阻放置于离子注入设备的工件放置区；第二步：离子注入设备抽真空达到1.0×10‑4‑1.0×10‑5Pa之间；第三步：向离子注入设备中充入纯度大于等于99.99％的高纯氮气，使离子注入腔体的真空度维持在0.1‑10Pa之间；第四步：启动注入电源，氮气电离，氮离子进入氮化钽薄膜，即完成注入；第五步：关闭离子注入电源，腔体继续充入氮气直到1.01×105Pa；第六步：打开腔体，取出薄膜电阻器，其中，在第四步中，注入时的电压为300‑5000V、注入时间为1min以上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州天极电子科技有限公司，未经广州天极电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410662340.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种透明太阳能电池板背膜及其制备方法
- 下一篇：语音符号系统
