[发明专利]基于量子点超晶格结构的太阳能电池及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201410664646.X 申请日: 2014-11-19
公开(公告)号: CN105679873A 公开(公告)日: 2016-06-15
发明(设计)人: 卢建娅;陈曦;郑新和;王乃明 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: H01L31/076 分类号: H01L31/076;H01L31/0304;H01L31/036;H01L31/18
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 代理人: 孙伟峰
地址: 215123 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种基于量子点超晶格结构的太阳能电池,包括有源区,该有源区包括第一i-GaAs层、第一GaNAs/InGaAs超晶格结构、第二InGaAs超晶格结构、第二i-GaAs层,其中第二InGaAs超晶格结构设于第一GaNAs/InGaAs超晶格结构表面。第一i-GaAs层与第二i-GaAs层厚度相同,第一GaNAs/InGaAs超晶格结构与第二InGaAs超晶格结构中的InGaAs层厚度不同,第二InGaAs超晶格结构中掺入量子点,且其InGaAs层中掺杂其他元素。本发明提供上述电池制备方法,利用MOCVD或MBE技术依次制备电池的各层结构。本发明技术能够优化太阳能电池性能、提高转换效率。
搜索关键词: 基于 量子 晶格 结构 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种基于量子点超晶格结构的太阳能电池,其特征在于:所述太阳能电池包括有源区,所述有源区包括第一i‑GaAs层、第一GaNAs/InGaAs超晶格结构、第二InGaAs超晶格结构、第二i‑GaAs层,其中所述第二InGaAs超晶格结构设置于所述第一GaNAs/InGaAs超晶格结构表面。
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