[发明专利]一种GaN基HEMT和LD单片集成的直接调制半导体激光器结构及其生长过程有效
| 申请号： | 201410665286.5 | 申请日： | 2014-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN104377547B | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 王智勇;吕朝蕙;王清;尧舜;郑建华 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/06 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基HEMT和LD单片集成的直接调制半导体激光器结构及其生长过程，该结构由GaN基HEMT和LD两部分组成，所述GaN基HEMT和所述LD被隔离层隔开；所述LD由在GaN衬底上依次外延生长的AlGaN下包层、GaN下波导层、InGaN注入层、MQW有源层、AlGaN电子阻挡层、GaN上波导层、AlGaN上包层构成；所述隔离层在所述AlGaN上包层上外延生长而成；所述GaN基HEMT由在隔离层上依次外延生长的AlGaN非掺杂层、GaN非掺杂的通道层、AlN空间隔离层、AlGaN非掺杂势垒层构成。本发明将GaN基HEMT和LD集成在同一块衬底上，实现单片集成GaN基HEMT和LD直接调制半导体激光器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan hemt ld 单片 集成 直接 调制 半导体激光器 结构 | ||
【主权项】：
一种GaN基HEMT和LD单片集成的直接调制半导体激光器结构，其特征在于：该结构由LD和GaN基HEMT两部分组成，所述LD和所述GaN基HEMT被非掺杂GaN隔离层(9)隔开；所述LD由在GaN衬底(1)上依次分子束外延生长的Al0.08Ga0.92N下包层(2)、GaN下波导层(3)、In0.02Ga0.98N注入层(4)、有源层(5)、Al0.2Ga0.8N电子阻挡层(6)、GaN上波导层(7)、Al0.08Ga0.92N上包层(8)构成；所述非掺杂GaN隔离层(9)在所述Al0.08Ga0.92N上包层(8)上分子束外延生长而成；所述GaN基HEMT由在非掺杂GaN隔离层(9)上依次分子束外延生长的非掺杂Al0.15Ga0.85N层(10)、非掺杂GaN通道层(11)、AlN空间隔离层(12)、非掺杂Al0.3Ga0.7N势垒层(13)构成；
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