[发明专利]一种平面双结型稳压二极管芯片及其生产工艺有效
| 申请号： | 201410665403.8 | 申请日： | 2014-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN104362182A | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 朱军;单慧;刘韵吉;杨敏红;刘诚 | 申请（专利权）人： | 桑德斯微电子器件（南京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/265;H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 蒋海军 |
| 地址： | 211113 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种平面双结型稳压二极管芯片及其生产工艺，属于电子器件制造领域。一种平面双结型稳压二极管芯片，包括芯片、正面金属层和背面金属层，芯片包括衬底层、外延层、深层掺杂扩散区、表面掺杂扩散区和钝化层，所述的芯片为稳压二极管芯片；芯片截层从下向上依次为衬底层、外延层、深层掺杂扩散区、表面掺杂扩散区和钝化层。芯片生产工艺采用两次离子注入及热扩散过程，可以有效地提高器件的击穿电压精度，降低因衬底及外延材料性能差异所引起的器件性能差异；通过调整两次注入剂量或扩散条件可以直接调制器件击穿电压，从而在利用单一外延材料的情况下，可实现多电压等级稳压器件的制作并提高生产效率，降低生产成本，有稳定的动态电阻性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 双结型 稳压二极管 芯片 及其 生产工艺 | ||
【主权项】：
一种平面双结型稳压二极管芯片，包括芯片、正面金属层(6)和背面金属层(7)，其特征在于：所述的芯片包括衬底层(1)、外延层(2)、深层掺杂扩散区(3)、表面掺杂扩散区(4)和钝化层(5)，所述的芯片为稳压二极管芯片；芯片截层从下向上依次为衬底层(1)、外延层(2)、深层掺杂扩散区(3)、表面掺杂扩散区(4)和钝化层(5)。
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