[发明专利]一种晶体硅定向凝固生长设备和方法有效
申请号: | 201410666111.6 | 申请日: | 2014-11-19 |
公开(公告)号: | CN104372407A | 公开(公告)日: | 2015-02-25 |
发明(设计)人: | 李剑 | 申请(专利权)人: | 李剑 |
主分类号: | C30B29/06 | 分类号: | C30B29/06;C30B11/00 |
代理公司: | 北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙) 11210 | 代理人: | 苏泳生 |
地址: | 212200 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种晶体硅定向凝固生长设备,包括融化炉室,融化炉室上端设有进料口,进料口处设有进料阀门,进料阀门的下端且位于融化炉室内设有熔料坩埚,熔料坩埚四周设有加热器一,位于熔料坩埚中部下端设有硅液流动口,硅液流动口区域设有硅液流量控制阀或硅液流量控制杆,硅液流动口下端设有硅液喷洒器,硅液喷洒器下方设有硅锭定向凝固系统,定向凝固系统包括控制温度梯度加热器、设置在加热器下方的硅锭支撑托盘以及用以约束液态硅的电磁感应器。本发明的有益效果为:通过本装置和技术,使得硅料融化和晶体生长同时进行,极大降低了能耗,并降低了生产成本,具有极高的晶体生长速率,有效的提高了生产效率,有利于市场的推广与应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶体 定向 凝固 生长 设备 方法 | ||
【主权项】:
一种晶体硅定向凝固生长设备,包括融化炉室(1),其特征在于,所述融化炉室(1)上端设有进料口(18),所述进料口(18)处设有相匹配的进料阀门(5),所述进料阀门(5)的下端且位于所述融化炉室(1)内设有熔料坩埚(6),所述熔料坩埚(6)四周设有加热器一(3),并且位于所述熔料坩埚(6)的中部下端设有硅液流动口(9),所述硅液流动口(9)区域设有相匹配的硅液流量控制阀(8)或硅液流量控制杆(7),并且所述硅液流动口(9)下端设有硅液喷洒器(12),所述硅液喷洒器(12)下方设有相匹配的硅锭定向凝固系统;所述硅锭定向凝固系统包括设置于所述硅液流动口(9)与硅液喷洒器(12)之间的加热器二(11),并且所述硅液喷洒器(12)下端设有硅锭支撑托盘(16),所述硅锭支撑托盘(16)四周有环绕有电磁感应器(15),并且所述电磁感应器(15)的电磁力将设置在所述硅锭支撑托盘(16)内的硅料约束在电磁力的有效范围内。
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