[发明专利]碳化硅冶炼方法有效
| 申请号： | 201410666277.8 | 申请日： | 2014-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN104477917A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 朱立起;胡顺武;顾小方;李佩健 | 申请（专利权）人： | 江苏乐园新材料集团有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36 |
| 代理公司： | 连云港润知专利代理事务所 32255 | 代理人： | 刘喜莲 |
| 地址： | 222000 江苏省连云港市新浦*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是一种碳化硅冶炼方法，其步骤如下：对已选择的将作为晶种的碳化硅进行如下处理：破碎处理筛分处理，选取粒径达到3~8毫米的碳化硅采用酸洗方法进行提纯处理，然后用纯水进行冲洗；以石墨电极为中心，在0~10cm内放置6H碳化硅晶种0.1%~5%，在10cm~25cm范围内放置6H碳化硅晶种0.3%~8%，在25cm~40cm范围内放置4H碳化硅晶种1%~10%。本发明方法设计合理，可操作性强。通过在碳化硅冶炼中添加晶种有效地提高碳化硅生长效率，有效地控制碳化硅晶型，降低能耗。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 冶炼 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅冶炼方法，其特征在于，其步骤如下：（1）SiC晶种处理：根据碳化硅晶型不同选择不同晶型的碳化硅作为晶种，对已选择的将作为晶种的碳化硅进行如下处理：先对碳化硅进行破碎处理筛分处理，选取粒径达到3~8毫米的碳化硅进行提纯处理，提纯采用酸洗方法，然后用纯水进行冲洗至pH值在6.5~7.5，烘干；（2）碳化硅晶种的添加：碳化硅晶种的添加位置以及添加量如下：以石墨电极为中心，在0~10cm内放置6H碳化硅晶种，添加的晶种占混料质量百分比的0.1%~5%，在10cm~25cm范围内放置6H碳化硅晶种，添加的晶种占混料质量百分比的0.3%~8%，在25cm~40cm范围内放置4H碳化硅晶种，添加的晶种占混料质量百分比的1%~10%。
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