[发明专利]太阳能电池用硅晶片的制造方法在审
| 申请号： | 201410667607.5 | 申请日： | 2014-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN105671641A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 阿部秀司;铃木龙畅;大沼光男 | 申请（专利权）人： | 日本化成株式会社 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;H01L31/18;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明在于提供一种太阳能电池用硅晶片的制造方法，作为硅晶片，使用将多晶硅锭以固定磨料线锯方式切片得到的多晶硅晶片，作为蚀刻法采用湿式蚀刻，并且，不需要喷砂处理等前处理，能够将晶片的表面充分粗面化。用硫酸浓度为55～85重量％、硝酸浓度为4～21重量％、氢氟酸浓度为2～10重量％、水分浓度为2～14重量％(其中，这些的合计量为100重量％)且水/硫酸的重量比率为0.20以下的蚀刻剂，对利用激光显微镜测得的立体表面粗糙度为1.0～1.3的多晶硅晶片表面进行各向同性蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池用基板的制造方法，其特征在于：用硫酸浓度为55～85重量％、硝酸浓度为4～21重量％、氢氟酸浓度为2～10重量％、水分浓度为2～14重量％且水/硫酸的重量比率为0.20以下的蚀刻剂，对利用激光显微镜测得的立体表面粗糙度为1.0～1.3的多晶硅晶片表面进行各向同性蚀刻，其中，硫酸、硝酸、氢氟酸和水分的合计量为100重量％。
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