[发明专利]半导体装置

摘要

本发明涉及半导体装置，提供了保持电势达较长时间且含有具稳定电特性的薄膜晶体管的固态图像传感器。当含有氧化物半导体层的薄膜晶体管的截止态电流被设置为1×10^-13A或更少且该薄膜晶体管被用作固态图像传感器的重置晶体管和转移晶体管时，信号电荷存储部分的电势被保持不变，所以可改进动态范围。当可被用于互补金属氧化物半导体的硅半导体被用于外围电路时，可制造具有低功耗的高速半导体器件。

主权项

一种半导体装置，包括：在衬底上的包括栅电极的第一晶体管，其中所述第一晶体管的沟道形成区包含晶体硅；以及所述衬底上的第二晶体管，该第二晶体管包括：氧化物半导体层；所述氧化物半导体层上的源电极和漏电极；所述氧化物半导体层上的栅绝缘层；和所述栅绝缘层上的栅电极，其中，所述第一晶体管的所述栅电极电连接至所述第二晶体管的所述源电极和所述漏电极中的一个，且其中，所述氧化物半导体层包括与所述第二晶体管的所述栅电极以及所述第二晶体管的所述源电极和所述漏电极中的一个都重叠的区域。