[发明专利]栅极保护盖及其形成方法

摘要

一种结构，包括衬底、位于衬底上的栅极结构，位于所述衬底上方的介电层和位于所述栅极结构的栅电极上方的盖。介电层与栅电极的顶面共平面。栅极结构在第一和第二栅极结构侧壁之间延伸栅极横向距离。盖在第一和第二盖侧壁之间延伸。第一盖部分从栅极结构的中线朝向第一栅极结构侧壁横向延伸第一盖横向距离并到达第一盖侧壁，并且第二盖部分从所述中线朝向第二栅极结构侧壁横向延伸第二盖横向距离并到达第二盖侧壁。第一盖横向距离和第二盖横向距离至少为栅极横向距离的一半。本发明还公开了栅极保护盖及其形成方法。

主权项

一种晶体管结构，包括：衬底；栅极结构，位于所述衬底上方，所述栅极结构包括栅电极和栅极电介质，所述栅极结构在第一栅极结构侧壁和第二栅极结构侧壁之间横向延伸栅极横向距离；第一介电层，位于所述衬底上方，所述第一介电层的顶面与所述栅电极的顶面共平面；以及栅极保护盖，位于所述栅电极上方，所述栅极保护盖在第一盖侧壁和第二盖侧壁之间横向延伸，第一盖部分从所述栅极结构的中线朝向所述第一栅极结构的侧壁横向延伸第一盖横向距离并到达所述第一盖侧壁，第二盖部分从所述中线朝向所述第二栅极结构侧壁横向延伸第二盖横向距离并到达所述第二盖侧壁；沿着所述第一栅极结构侧壁的第一间隔件，以及沿着所述第二栅极结构侧壁的第二间隔件，所述第一间隔件设置在所述第一介电层和所述栅极结构之间，所述第二间隔件设置在所述第一介电层和所述栅极结构之间，所述第一间隔件和所述第二间隔件的每个均分别从所述第一栅极结构侧壁和所述第二栅极结构侧壁向所述栅极结构外部横向延伸间隔件横向距离，相应的邻近的栅极结构呈现分别从所述第一间隔件和所述第二间隔件开始的相应的间隙横向距离，所述第一盖横向距离与所述第二盖横向距离两者均大于所述间隔件横向距离加一半所述栅极横向距离并且小于或等于所述间隔件横向距离加一半所述栅极横向距离再加一半所述相应的间隙横向距离。