[发明专利]一种具有砷化镓层器件上形成金属触点及其制造方法无效
| 申请号： | 201410670765.6 | 申请日： | 2014-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN104465802A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 李军安;蔡桂钧;何卫华 | 申请（专利权）人： | 广西智通节能环保科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 温旭 |
| 地址： | 545001 广西壮族自治区柳*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在具有砷化镓层器件上形成金属触点的方法，包括：在砷化镓层上沉积钯层；在所述钯层上沉积锗层；在所述锗层上沉积金属覆盖层；并且将所述具有砷化镓层器件加热，以形成布置在所述吸收层和所述金属覆盖层之间的钯锗合金层，其中，所述钯锗合金层为渐变层，所述渐变层在靠近所述吸收层处包含最高浓度的钯和最低浓度的锗，具有延伸至所述金属覆盖层的梯度，在靠近所述金属覆盖层处包含最高浓度的锗和最低浓度的钯。本发明的制造方法能够在低温下制备具有砷化镓层器件上形成金属触点，使得器件的性能得以保持。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 砷化镓层 器件 形成 金属 触点 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种在具有砷化镓层器件上形成金属触点的方法，包括：在砷化镓层上沉积钯层；在所述钯层上沉积锗层；在所述锗层上沉积金属覆盖层；并且将所述具有砷化镓层器件加热，以形成布置在所述吸收层和所述金属覆盖层之间的钯锗合金层，其中，所述钯锗合金层为渐变层，所述渐变层在靠近所述吸收层处包含最高浓度的钯和最低浓度的锗，具有延伸至所述金属覆盖层的梯度，在靠近所述金属覆盖层处包含最高浓度的锗和最低浓度的钯。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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