[发明专利]PTSL工艺方法、鳍式场效应晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 201410671043.2 | 申请日： | 2014-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN105679659A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 秦长亮;殷华湘;李俊峰;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 党丽;吴兰柱 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种PTSL工艺方法，包括步骤：提供衬底，衬底中形成有相互隔离的鳍；进行第一次离子注入，第一离子注入为PTSL注入；进行第二次离子注入，第二次离子注入的剂量和能量小于第一次离子注入的剂量和能量。本发明的方法，使得PTSL注入后造成的沟道内部浓度不均匀的掺杂得到了优化，使得沟道的掺杂形貌变得均匀，从而提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | ptsl 工艺 方法 场效应 晶体管 制造 | ||
【主权项】：
一种PTSL工艺方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底，衬底中形成有相互隔离的鳍；进行第一次离子注入，第一次离子注入为PTSL注入；进行第二次离子注入，第二次离子注入的剂量和能量小于第一次离子注入的剂量和能量。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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