[发明专利]FinFET和形成该FinFET的方法在审
| 申请号： | 201410671056.X | 申请日： | 2014-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN104659097A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | R·拉玛钱德兰;H·K·尤托莫;R·维加 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈新 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种FinFET器件和形成该FinFET器件的方法。所述FinFET器件包括：半导体基板；三维鳍片，其垂直于半导体基板定向；局部沟槽隔离，其在三维鳍片与相邻的三维鳍片之间；氮化物层，其在局部沟槽隔离上；栅极叠层，其围绕三维鳍片的中心部分卷绕，并且延伸通过氮化物层；侧壁间隔物，其与栅极叠层相邻，并且与氮化物层间接接触，三维鳍片的两端从侧壁间隔物延伸，第一端用于FET器件的源极，第二端用于FET器件的漏极；以及外延层，其覆盖三维鳍片的每端，并且在氮化物层上。还公开了制造FinFET器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种FinFET器件，包括：半导体基板；三维鳍片，所述三维鳍片垂直于所述半导体基板定向；局部沟槽隔离，所述局部沟槽隔离在所述三维鳍片与相邻的三维鳍片之间；氮化物层，所述氮化物层在所述局部沟槽隔离上；栅极叠层，所述栅极叠层围绕所述三维鳍片的中心部分卷绕，并且延伸通过所述氮化物层；侧壁间隔物，所述侧壁间隔物与所述栅极叠层相邻，并且与所述氮化物层间接接触，所述三维鳍片的两端从所述侧壁间隔物延伸，第一端用于所述FET器件的源极，第二端用于所述FET器件的漏极；和外延层，所述外延层覆盖三维鳍片的每端，并且在所述氮化物层上。
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