[发明专利]一种晶硅太阳能电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201410671483.8 | 申请日： | 2014-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN104465868A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 方结彬;秦崇德;石强;黄玉平;何达能 | 申请（专利权）人： | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/223 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 温旭 |
| 地址： | 528100 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶硅太阳能电池的制备方法，包括：在硅片正面形成绒面；在硅片正面进行高方阻磷扩散，所述高方阻扩散采用的方阻值为110~150欧姆；去除磷扩散形成的正面磷硅玻璃和周边PN结；所述硅片正面形成减反膜；在硅片背面印刷背电场和背电极；在硅片正面印刷正电极，正电极包括主栅和副栅，所述副栅为非直线形状，所述主栅为直线形状。相应的，本发明还提供一种由上述晶硅太阳能电池制备方法制得的电池。采用本发明，非直线副栅比直线副栅具有更强的搜集电子的能力，同时高方阻工艺提升了电池的开压和短流，进而提升晶硅太阳能电池的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：（1）在硅片正面形成绒面；（2）在硅片正面进行高方阻磷扩散，所述高方阻磷扩散采用的方阻值为110~150欧姆；（3）去除磷扩散形成的正面磷硅玻璃和周边PN结；（4）所述硅片正面形成减反膜；（5）在硅片背面印刷背电场和背电极；（6）在硅片正面印刷正电极，正电极包括主栅和副栅，所述副栅为非直线形状，所述主栅为直线形状。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东爱康太阳能科技有限公司，未经广东爱康太阳能科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410671483.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
