[发明专利]一种锥形激光器输出端面减反膜镀制方法在审
| 申请号： | 201410674359.7 | 申请日： | 2014-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN104332824A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 薄报学;高欣;乔忠良;张晶;李辉;李特;曲轶 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/028 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种锥形激光器输出端面减反膜镀制方法，属于半导体光电子器件技术领域。该领域已知技术采用电子束蒸发或气相沉积单层或多层薄膜材料进行镀制，工艺复杂，重复性差，且需要单独的钝化工艺进行输出端面钝化处理。本发明之锥形激光器输出端面减反膜镀制方法，采用射频反应溅射制备的非晶AlxN薄膜进行减反膜镀制，通过调整溅射条件调整AlxN薄膜的折射率，使输出端面4的残余反射率达到GaAs基锥形激光器设计的要求，同时起到钝化输出端面4的作用。该技术方案可应用于各类锥形半导体激光器的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 锥形 激光器 输出 端面 减反膜镀制 方法 | ||
【主权项】：
一种锥形激光器输出端面减反膜镀制方法，其特征在于，由脊形条(1)和锥形放大区(2)构成的锥形激光器，其输出端面(4)采用射频反应溅射制备的非晶AlxNy薄膜进行减反膜镀制，通过调整溅射条件调整AlxNy薄膜的折射率，使输出端面(4)的残余反射率达到GaAs基锥形激光器设计的要求，同时起到钝化输出端面(4)的作用。
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