[发明专利]非平面SiGe沟道PFET有效
| 申请号： | 201410674393.4 | 申请日： | 2014-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN104659077B | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 冯家馨 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了用于制造半导体器件结构的系统和方法。示例性半导体器件结构包括由锗化合物形成的沟道层，沟道层具有锗浓度B且形成在具有锗浓度A的半导体衬底上，其中衬底的锗浓度A小于沟道层的锗浓度B。该结构还包括为使沟道层与金属栅极分隔而形成的覆盖层，该覆盖层具有锗浓度C，沟道层的锗浓度B大于覆盖层的锗浓度C。本发明还公开非平面SiGe沟道PFET。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 sige 沟道 pfet | ||
【主权项】：
一种半导体器件结构，包括：沟道层，由锗化合物形成，所述沟道层具有锗浓度B且形成在具有锗浓度A的半导体衬底上，所述衬底的锗浓度A小于所述沟道层的锗浓度B；覆盖层，形成为使得所述沟道层与金属栅极分隔，所述覆盖层具有锗浓度C，所述沟道层的锗浓度B大于所述覆盖层的锗浓度C；其中，所述金属栅极包括底面并且所述沟道层包括底面和顶面，所述金属栅极的底面低于所述沟道层的顶面、且位于所述沟道层的底面的相对两侧，所述沟道层的底面从所述金属栅极的底面垂直地偏移。
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