[发明专利]一种二硫化钼纳米管的制备方法有效
申请号: | 201410676448.5 | 申请日: | 2014-11-21 |
公开(公告)号: | CN104386753A | 公开(公告)日: | 2015-03-04 |
发明(设计)人: | 凤仪;刘文宏;钱刚;苗世顶;豆亚坤;黄晓晨;丁冬冬;汤海;张学斌 | 申请(专利权)人: | 合肥工业大学 |
主分类号: | C01G39/06 | 分类号: | C01G39/06;B82Y40/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人: | 何梅生 |
地址: | 230009 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种二硫化钼纳米管的制备方法,其特征在于:以纤维状碳纳米材料为模板,制得均质的二硫化钼包覆的C-MoS2同轴纳米管;然后在流动的CO2气氛下高温煅烧所述均质的二硫化钼包覆的C-MoS2同轴纳米管,以去除碳组分,即得二硫化钼纳米管。本发明所获得的二硫化钼纳米管的壁厚可以通过改变C-MoS2同轴纳米管中MoS2包覆层厚度来控制,且本发明在纤维状碳纳米材料表面突起或者急速弯曲的地方,二硫化钼包覆会出现缺口或断口,由此制备的二硫化钼纳米管也会出现相应的结构缺陷,这些缺陷可以增加纳米管表面的边缘活性位,使其具有更加优异的光电和催化性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 二硫化钼 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种二硫化钼纳米管的制备方法,其特征在于:以纤维状碳纳米材料为模板,制得均质的二硫化钼包覆的C‑MoS2同轴纳米管;然后在流动的CO2气氛下高温煅烧所述均质的二硫化钼包覆的C‑MoS2同轴纳米管,以去除碳组分,即得二硫化钼纳米管;所述CO2的纯度为80‑100%,流速为1‑10000mL/min;所述高温煅烧的煅烧温度为600℃~1500℃,煅烧时间为1h~96h。
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