[发明专利]一种带应力牺牲结构的芯片封装结构及封装方法在审

专利信息
申请号: 201410677097.X 申请日: 2014-11-23
公开(公告)号: CN104409429A 公开(公告)日: 2015-03-11
发明(设计)人: 秦飞;武伟;安彤;肖智轶 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L21/98
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 刘萍
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种带应力牺牲结构的芯片封装结构及封装方法,属于半导体芯片封装领域。该封装结构包括:1.玻璃;2.晶圆,其中在晶圆正面预制有IC和I/O;3.支撑墙,通过在玻璃正面制作支撑墙结构,将玻璃正面和晶圆正面键合在一起;4.在晶圆背面依次制作有钝化层、金属层、防焊层,通过上述结构组成的重分布线路层,将晶圆正面的I/O与晶圆背面的焊球实现导通。通过本发明实施的封装结构,首先,通过改变晶圆背面的重分布线路层同晶圆正面的I/O的连接方式,降低了金属层在拐角处的应力,这样改善了金属层在拐角处的裂纹断裂等失效;另外,通过选用干膜作为支撑墙的材料,改进了工艺步,同时避免了晶圆正面污染的问题。
搜索关键词: 一种 应力 牺牲 结构 芯片 封装 方法
【主权项】:
一种带应力牺牲结构的芯片封装结构,其特征在于包括:玻璃,在晶圆正面覆盖一层玻璃,通过在玻璃四周制作支撑墙结构,在盖板和晶圆之间形成一个密闭空腔;提供晶圆,其中在晶圆正面中央预制有逻辑电路IC,在其四周分布有若干个信号导出I/O;晶圆背面的重分布线路层,通过将晶圆背面四周的硅去除,将晶圆正面的I/O暴露出来后再制作所述重分布线路层;重分布线路层依次由钝化层、金属层和防焊层组成,通过制作重分布线路层,将晶圆正面的I/O导通到晶圆背面,并与晶圆背面的焊球相连接;在所述重分布线路层中,通过在钝化层上制作开口,将晶圆正面的I/O暴露出来,然后在制作金属层,从而实现I/O同金属层之间的导通。
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