[发明专利]显示用红色LED直接焊接晶片的制备方法和晶片有效

专利信息
申请号: 201410678056.2 申请日: 2014-11-21
公开(公告)号: CN105679925B 公开(公告)日: 2019-01-22
发明(设计)人: 严敏;程君;周鸣波 申请(专利权)人: 环视先进数字显示无锡有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62;H01L25/075;H01L33/00
代理公司: 北京权泰知识产权代理事务所(普通合伙) 11460 代理人: 王道川;杨勇
地址: 214100 江苏省无锡市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种显示用红色LED直接焊接晶片的制备方法和晶片,包括对衬底的正面和背面都进行第一图形化处理;依次进行N型外延层和P型外延层生长;进行N区光刻和刻蚀,在第一图形化区域内露出N型外延层;淀积电流阻挡层;进行电流阻挡层光刻和图形化刻蚀;淀积电流扩散层;进行电流扩散层光刻和图形化刻蚀,在第二图形化区域内露出P型外延层,并在第三图形化区域内露出N型外延层;预退火后,进行金属层光刻和图形化刻蚀;灰化后,进行金属蒸镀;剥离后,在第二图形化区域和第三图形化区域上形成两个电极;进行衬底激光剥离,对剥离后露出的N型外延层表面进行钝化层淀积;退火后得到显示用红色LED直接焊接晶片。
搜索关键词: 显示 红色 led 直接 焊接 晶片 制备 方法
【主权项】:
1.一种显示用红色LED直接焊接晶片的制备方法,其特征在于,所述方法包括:对衬底的正面和背面都进行第一图形化处理;所述衬底包括蓝宝石衬底、GaAs衬底或SiC衬底;在第一图像化处理后的所述衬底上依次进行N型外延层和P型外延层生长,并进行化学机械抛光;进行N区光刻和刻蚀,在第一图形化区域内露出N型外岩延 层;淀积电流阻挡层;进行电流阻挡层光刻和图形化刻蚀;淀积电流扩散层;进行电流扩散层光刻和图形化刻蚀,在第二图形化区域内露出P型外延层,并在第三图形化区域内露出衬底;预退火后,进行金属层光刻和图形化刻蚀;灰化后,进行金属蒸镀,沉积Cr,Ni,Au,Ti,Sn,其中最外层为AuSn合金;对金属层剥离;剥离后,在所述第二图形化区域和第三图形化区域上形成所述晶片的两个电极;对所述衬底进行激光剥离,从而得到所述晶片;对所述晶片退火,得到所述显示用红色LED直接焊接晶片。
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