[发明专利]加厚DBC基板制造方法及使用该方法制造的DBC基板在审
| 申请号： | 201410679746.X | 申请日： | 2014-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN105702588A | 公开（公告）日： | 2016-06-22 |
| 发明（设计）人： | 祝林;贺贤汉;戴洪兴 | 申请（专利权）人： | 上海申和热磁电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/15 |
| 代理公司： | 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 | 代理人： | 沈履君 |
| 地址： | 200444 上海市宝*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明加厚DBC基板制造方法，包括如下步骤：第一步，对瓷片基材的表面进行前处理；第二步，对瓷片基材和铜片进行清洗；第三步，在第一保护气氛下对铜片进行氧化；第四步，在第二保护气氛下，将至少一个经过氧化处理的铜片平放在瓷片基材的至少一侧的表面上进行烧结处理；其中，烧结的温度为低于铜的熔点、但高于铜/氧系统的低共熔温度的DCB温度来实现。本发明加厚DBC基板制造方法及使用该方法制造的DBC基板解决瓷厚≥2.0毫米DBC基板烧结，满足射频器件用DBC基板的产品需求。 | ||
| 搜索关键词： | 加厚 dbc 制造 方法 使用 基板 | ||
【主权项】：
加厚DBC基板制造方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步，对瓷片基材的表面进行前处理；第二步，对瓷片基材和铜片进行清洗；第三步，在第一保护气氛下对铜片进行氧化；第四步，在第二保护气氛下，将至少一个经过氧化处理的铜片平放在瓷片基材的至少一侧的表面上进行烧结处理；其中，烧结的温度为低于铜的熔点、但高于铜/氧系统的低共熔温度的DCB温度来实现。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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