[发明专利]用于三维（3D）半导体器件的原子探头层析成像样本制备的方法

摘要

提供了一种用于三维(3D)半导体器件的原子探头层析成像(APT)样本制备的方法。所述方法可以包括测量3D场效应晶体管器件的电容－电压(C-V)特性，并基于测得的电容－电压(C-V)特性，识别出对应于3D场效应晶体管器件的鳍结构。采用纳米操纵器探头顶端使所识别出的鳍结构与3D场效应晶体管器件分离。之后采用具有低于大约1000eV的电压的入射聚焦离子束将分离的鳍焊接到纳米操纵器探头顶端上。向焊接到纳米操纵器探头顶端的鳍的顶端施加具有低于大约1000eV的电压的入射聚焦离子束。之后，可以通过聚焦离子束将鳍的顶端修尖。

主权项

一种用于由形成于半导体结构内的三维(3D)场效应晶体管器件进行原子探头层析成像(APT)样本制备的方法，所述方法包括：测量3D场效应晶体管器件的电容－电压(C‑V)特性；基于测得的电容－电压(C‑V)特性，识别出对应于3D场效应晶体管器件的鳍结构；采用纳米操纵器探头顶端使所识别出的鳍结构与3D场效应晶体管器件分离；采用具有低于大约1000eV的电压的入射聚焦离子束将分离的鳍焊接到纳米操纵器探头顶端上；以及向焊接到纳米操纵器探头顶端的鳍的顶端施加具有低于大约1000eV的电压的入射聚焦离子束，其中，通过所述聚焦离子束修尖所述鳍的顶端。