[发明专利]基于锂的电池负极的嵌入硅化镍纳米丝中的硅纳米丝结构有效

专利信息
申请号: 201410681706.9 申请日: 2014-11-24
公开(公告)号: CN104752701B 公开(公告)日: 2019-04-19
发明(设计)人: 辛教民;金思钦;闵泓锡;扎姆菲尔·米海·罗伯特;赵济美;迪迪埃·普里巴特;李如珍 申请(专利权)人: 现代自动车株式会社;成均馆大学校产学协力团
主分类号: H01M4/38 分类号: H01M4/38;H01M4/134;B82Y40/00;B82Y30/00
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;张英
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及基于锂的电池负极的嵌入硅化镍纳米丝中的硅纳米丝结构。本发明提供了用于基于锂的电池负极及包含其的负极的嵌入硅化镍纳米丝中的硅纳米丝结构。特别地,根据本发明的嵌入NiSix纳米丝中的Si纳米丝结构,通过将所述Si纳米丝柔性地嵌入所述NiSix纳米丝中,能够为以下问题提供解决方法,比如,在电池使用过程中,当Si纳米丝通过与Li合金化而膨胀或者收缩时出现的Si纳米丝从集电器上断开的情况,以及类似情况。
搜索关键词: 基于 电池 负极 嵌入 硅化镍 纳米 中的 结构
【主权项】:
1.一种嵌入硅化镍NiSix纳米丝中的硅Si纳米丝结构,它包含:衬底,沉积于所述衬底上的镍Ni薄膜,Si纳米丝,同时沉积于所述镍Ni薄膜上,以及NiSix纳米丝,嵌入所述Si纳米丝,同时随机地沉积于所述镍Ni薄膜上,其中所述衬底是负极的集电器,其中所述NiSix纳米丝随机地生长于所述Si纳米丝上,以及其中所述NiSix纳米丝至少部分地暴露在所述Si纳米丝外侧。
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