[发明专利]鳍式场效应晶体管及其源漏区的制造方法有效
| 申请号： | 201410681974.0 | 申请日： | 2014-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN105702580B | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 秦长亮;殷华湘;李俊峰;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 党丽;吴兰柱 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种鳍式场效应晶体管源漏区的制造方法，包括：提供衬底，衬底中形成有相互隔离的鳍；进行源漏区外延前的前烘，以去除鳍上源漏区的自然氧化层，并在前烘的腔室中对源漏区进行回流；进行源漏区的外延生长。本发明提高外延层在源漏区的比例，为沟道提供更大的应力。同时，回流后鳍的原子重新排列，降低了鳍中的缺陷，提高了后续外延层的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 源漏区 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效应晶体管源漏区的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底，衬底中形成有相互隔离的鳍；进行源漏区外延前的前烘，以去除鳍上源漏区的自然氧化层，并在前烘的腔室中对源漏区进行回流，以使源漏区的高度降低为沟道提供更大应力；进行源漏区的外延生长；前烘是指通过腔室中的气体与源漏区的鳍上的自然氧化层反应生成化合物，化合物在气化后从鳍表面分离；回流是指改变腔室内的气体压强和/或温度，使源漏区鳍的高度降低。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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