[发明专利]一种相变材料、该相变材料制成的相变存储器及制备方法有效
| 申请号： | 201410682337.5 | 申请日： | 2014-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN104409628B | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 王青;刘波;夏洋洋;张中华;宋三年;宋志棠;封松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种相变材料，其组分通式为CrxSbyTe1的化合物，其中，元素的原子比满足0<x<1，2.0≤y≤3.5。本发明还提供一种包括所述相变材料的相变存储器以及所述相变存储器的制备方法。本发明提供的Cr‑Sb‑Te基硫系化合物相变材料，在外部能量的作用下，实现高电阻态与低电阻态之间的可逆转变；其作为相变存储器的存储介质时，相变存储单元不仅具有相变速度快、写操作电流低等优点，而且器件的高温数据保持力及可靠性都得到了提高。本发明针对相变存储器的存储原理和特点，还设计提出了基于新型相变存储材料CrxSbyTe1的相变存储器器件单元结构，使包含CrxSbyTe1相变材料的相变存储器具有高速、低功耗、良好数据保持力等优越性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 相变 材料 制成 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种相变材料，其特征在于，所述相变材料至少包括：组分通式为CrxSbyTe1的化合物，其中，x、y均指元素的原子比，且满足：0<x<1，2.5≤y≤3.5。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所，未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410682337.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
