[发明专利]一种提高YBCO厚膜临界电流的方法

摘要

一种在金属基带衬底上制备YBCO超导层厚膜的方法，包括：(1)将带有隔离层的金属基带作为样品衬底。(2)以YBCO为靶材，靶基距40-60mm。(3)抽真空至真空腔体内的真空度优于3×10^-4Pa，且将金属基带衬底加热至750-770℃并保持；再向真空腔体内通入氧气，并控制纯氧气氛为20-30Pa并保持；(4)、用脉冲激光沉积方法(PLD)在带有隔离层的金属基带衬底上制备YBCO薄膜。以激光频率为10～20Hz，沉积YBCO薄膜。之后将金属基带衬底的温度在原有温度下提高5-10℃并保持，待温度稳定平衡后，同样条件下再继续沉积YBCO薄膜，由传统的不间断沉积方式改为间歇式沉积方式。(5)将沉积后的YBCO薄膜进行原位退火，即在带有隔离层的金属基带上制成YBCO超导层。使用激光法制备的YBCO薄膜不仅有良好的织构和表面形貌，更有高的电性能。

主权项

一种在金属基带衬底上间歇式制备YBCO超导层厚膜的方法，其特征在于：该方法包括下述步骤：(1)在制备YBCO超导层的真空腔体中，将带有隔离层的金属基带作为样品衬底；采用常规脉冲激光沉积设备，YBCO超导层的真空腔体为常规脉冲激光沉积设备的真空腔体；(2)以YBCO为靶材，靶基距40‑60mm，在真空腔体中，采用脉冲激光沉积的方法在衬底上沉积YBCO膜；(3)抽真空至真空腔体内的真空度优于3×10^‑4pa，且将金属基带衬底加热至750‑770℃并保持；再向真空腔体内通入氧气，并控制纯氧气氛为20‑30Pa并保持；(4)、用脉冲激光沉积方法即PLD方法在带有隔离层的金属基带衬底上制备YBCO薄膜；以激光频率为10～20Hz，沉积YBCO薄膜之后，将金属基带衬底的温度在原有温度下提高5‑10℃并保持，待温度稳定平衡后，同样条件下再继续沉积YBCO薄膜，由传统的不间断沉积方式改为间歇式沉积方式；(5)在真空腔体中，将沉积后的YBCO薄膜进行原位退火，即在带有隔离层的金属基带上制成YBCO超导层。